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    芯片國產化再傳好消息!
    21 世紀初,以金剛石、碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等為主的第三代半導體材料進入大眾的視野,其中金剛石更是憑借其特有的性質成為備受關注的芯片材料,甚至被業界評為“終極半導體材料”。

    據IT之家1月11日報道,哈爾濱工業大學的韓杰才院士團隊在通過與香港城市大學、麻省理工學院等單位合作后,在金剛石芯片領域取得了新進展。

    據報道,韓杰才院士帶領的團隊首次通過納米力學新方法,從根本上改變金剛石復雜的能帶結構,為實現下一代金剛石基微電子芯片提供了全新的方法。

    但目前該技術仍具備一定的局限性。據報道,金剛石芯片雖然比硅芯片更強、更耐抗,但在迄今為止的實驗中,由于金剛石分子結構保持較強的獨立性,無法對電流產生有效影響,所以在實際應用上還存在不少難題。

     

    不過,當前中國團隊全新科研成果的發布,正有力地推進這一難題的攻關。要知道,一旦金剛石芯片研發成功,也將有力推動芯片國產化,并有望攻克美國“卡脖子”難題。

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